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陈杰智教授团队在国际集成电路顶会(VLSI Symposium)发表新进展并获奖

随着人工智能技术的高速发展，高算力系统面临着前所未有的能效瓶颈。作为新型非易失性存储技术的有力竞争者，铁电存储器凭借高速读写、低功耗以及优异的数据保持能力，有望突破传统存储架构的限制。然而，超薄铁电薄膜器件中性能出现严重退化，制约了铁电器件在三维集成芯片中的应用推广。针对这一难题，永利3044noc陈杰智教授、武继璇研究员联合新加坡国立大学龚萧教授团队，创新性提出基于氧空位调控的超薄铁...

2025.06.19

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